金属-半导体-金属光电探测器(metal-semiconductor-metal photodetectors) | GU OPTICS
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定义:
基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

定义:
基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
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金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
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金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。 
MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


 

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